江苏苏丰机械科技有限公司
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大拉退火装置淬火：往半导体材料中引入残渣正离子时，高效率能量的入射正离子会与半导体材料晶格常数上的分子撞击，使某些晶格常数分子产生偏移，結果导致很多的空位，将促使引入区中的分子排序错乱或是变为为非晶区，因此在离子注入之后务必把半导体材料放到必须的溫度下开展淬火，以修复结晶的构造和清除缺点。一起，淬火也有激话施主和受主残渣的作用，即把一些处在空隙部位的残渣分子根据淬火而让他们进到取代部位。
RTP（Rapid Thermal Processing）迅速调质处理，是在十分短的時间内将全部硅片加温至400~1300℃环境湿度范围之内的这种方式，相对性于炉体淬火，它具备热费用预算少，硅中残渣健身运动小，沾污寸和生产加工速度快等特性。
● 多种led灯管设计构思以确保溫度匀称
● 即时闭环控制温控方法
● 即时灯丝电流量检测以确保加工工艺平稳可信性
● 安全性检测，包含热偶温度测量检验、超温检验、灯丝电流量检验
● 中英客户操作面板，应用十分简变
● 手机软件自动式操纵加工工艺全过程，使用方便，包含客户等级分类应用管理权限
● 莱单编写、加工工艺统计数据纪录/搜索、警报/出错、客户情况等作用
主要用途
● 离子注入倒退火/活性
● 金属材料细晶强化，砷化稼电级细晶强化
● 磷铝硅酸盐夹层玻璃/硼磷夹层玻璃流回
● 沟道空气氧化
● 栅物质产生
● 多晶硅淬火
● 钛硅化物/硅化物/氮化合物淬火铜铟镓硒光伏运用中的硒堆积
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