大拉退火装置工艺如何？

发布日期：2020-09-26 作者：点击：

大规模退火装置中的猝灭:在半导体材料中引入剩余正离子时，高效率能量的入射正离子会与半导体材料晶格常数上的分子发生碰撞，导致一些晶格常数的分子发生位移，产生很多空位，促使引入区域的分子无序有序化或者变成非晶区域。因此，在离子注入后，半导体材料必须在必要的温度下淬火，以修复晶体结构并去除缺陷。淬火合在一起还有激发施主和受主残基的作用，就是把间隙部分的一些残基分子按淬火放入替换部分。

RTP(rapid thermalp processing)是一种在很短的时间内将所有硅片加热到400~1300℃环境湿度的方法。与炉淬相比，RTP具有热预算少、硅渣、污垢等物理运动少、生产加工速度快的特点。

大拉退火装置

各种led灯管设计理念，确保温度对称。即时闭环控制温控方式。实时灯丝电流检测，确保加工工艺稳定可靠。安全检查，包括热电偶测温检查、超温检查和灯丝电流量检查。中英文客户操作面板的应用非常简单。手机软件自动控制加工工艺的全过程，简单易用，包含客户分类的应用管理权限。大拉退火装置,清单编制、加工工艺统计记录/检索、报警/错误、客户情况等。

主要用途:

离子注入回火/活性。金属材料的细晶强化和砷的电级细晶强化。磷铝硅酸盐夹层玻璃/硼磷夹层玻璃的再循环。通道空气氧化。低栅极材料生成。低多晶硅淬火。铜铟镓硒光伏应用中低钛硅化物/硅化物/氮化合物猝灭硒积累。